一种单晶硅硅片清洗制绒工艺

摘要

本发明涉及一种单晶硅硅片清洗制绒工艺，属于化工技术领域。具体步骤如下：(1)采用自制硅片清洗剂针对硅片进行预清洗。(2)预清洗后的硅片，进入制绒槽体；制绒槽体中配置好制绒液，制绒液按溶液质量百分比计添加0.1％～5％的氢氧化钠，0.1％～3％的氢氧化钾，1％～5％的异丙醇，以及0.02％～5％的自制制绒添加剂；采用升温至反应温度70℃～90℃，进行制绒；制绒过程中开启超声波设备。(3)制绒时，槽体封闭；投片前，开启搅拌装置进行搅拌；制绒反应时间为15～40min。本发明清洗剂和制绒添加剂的使用，使得工艺控制简单稳定，降低了能耗，增强了过程控制能力，从而大大提高了产品各方面的控制质量，降低了生产各方面的成本，提高了综合经济效益。

主权项

一种单晶硅硅片清洗制绒工艺，其特征在于：具体步骤如下：(1)采用自制硅片清洗剂针对硅片进行预清洗，预清洗的温度为70～90℃，时间为30～60min，并开启超声波功能，超声波功率为10～40W；(2)预清洗后的硅片，进入制绒槽体；制绒槽体中配置好制绒液，制绒液按溶液质量百分比计添加0.1％～5％的氢氧化钠，0.1％～3％的氢氧化钾，1％～5％的异丙醇，以及0.02％～5％的自制制绒添加剂；采用升温至反应温度70℃～90℃，进行制绒；制绒过程中开启超声波设备，超声波功率为20～40W；(3)制绒时，槽体封闭；投片前，开启搅拌装置进行搅拌；制绒反应时间为15～40min。