发明名称 |
等离子体反应器室的碳化钨涂布的金属部件及涂布方法 |
摘要 |
本发明涉及等离子体反应器室的碳化钨涂布的金属部件及涂布方法。半导体处理设备的碳化钨涂布的室部件包括金属表面、任选的中间镍涂层、以及外面的碳化钨涂层。该部件通过任选地将镍涂层沉积在该部件的金属表面上以及将碳化钨涂层沉积在该金属表面或镍涂层上以形成最外层表面而制造。 |
申请公布号 |
CN103774142A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201310504673.6 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
石洪;徐林;约翰·迈克尔·克恩斯;安东尼·阿玛多;杜安·乌特卡;方言;艾伦·龙尼;罗伯特·G·奥尼尔;拉金德尔·迪恩赛;特拉维斯·泰勒 |
分类号 |
C23C28/00(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
一种用于涂布半导体处理设备的部件的金属表面的方法,所述方法包括:任选地将镍涂层沉积在所述半导体处理设备的部件的金属表面上;将碳化钨涂层沉积在所述金属表面上或在所述镍涂层上以形成最外层表面。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |