| 发明名称 | 显示器和显示器制造方法 | ||
| 摘要 | 在同一基板上方形成开关元件和光传感器元件的情况下，当为了提高光传感器元件的灵敏度而增大活性层的膜厚度时，会对开关元件(TFT)的特性产生不利影响。在本发明的显示器的结构中，在以矩阵状设有多个像素的玻璃基板(5)上方的栅极绝缘膜(24)上设有沟道层(25)和光电转换层(35)，该沟道层(25)构成用于形成像素的开关元件的薄膜晶体管，该光电转换层(35)构成光传感器元件。光电转换层(35)被形成为比沟道层(25)厚，并且/或者光电转换层(35)由与沟道层(25)的材料不同的材料形成，因而使得光电转换层(35)的光吸收系数高于沟道层(25)的光吸收系数。 | ||
| 申请公布号 | CN101636691B | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN200880009062.1 | 申请日期 | 2008.09.18 |
| 申请人 | 株式会社日本显示器西 | 发明人 | 达拉姆·帕尔·高赛因;田中勉;高德真人 |
| 分类号 | G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1368(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种显示器，所述显示器包括以矩阵状设有多个像素的基板，其中，所述显示器还包括：半导体膜；第一活性层；第二活性层，其中，所述第二活性层的光吸收系数高于所述第一活性层的光吸收系数；和开关元件，其特征在于所述半导体膜形成在所述基板的上方，并界定第一元件形成部和第二元件形成部，所述半导体膜中存在引入的杂质；所述第一元件形成部和所述第二元件形成部中的所述半导体膜被分离成岛状，且所述第一元件形成部中的所述半导体膜形成所述第一活性层；存在于所述第二元件形成部的相当于活性层的那部分中的所述半导体膜被除去，在所述第二元件形成部的已除去了所述半导体膜的那部分形成所述第二活性层；所述开关元件形成在所述基板的上方，包含所述第一活性层；所述显示器还包括光传感器元件，所述光传感器元件形成在所述基板的上方并包含所述第二活性层。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||