| 发明名称 | 一种ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于太阳能电池的ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极及其制备方法。该ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极是由按照从里到外顺序的ITO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、ZnO纳米棒阵列层、CdSe壳层与CdTe量子点层组成的。通过CdSe和CdTe共敏化技术，使本发明的ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极的饱和光电流密度提高到14.3mA/cm<sup>2</sup>。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN102437206B | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201110421773.3 | 申请日期 | 2011.12.15 |
| 申请人 | 湖北大学 | 发明人 | 王淑嫱;王浩;王甜;王喜娜;刘荣;张军;汪宝元;胡芸霞 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君智知识产权代理事务所 11305 | 代理人 | 向华 |
| 主权项 | 一种ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极，其特征在于该纳米棒阵列光电极是由按照从里到外顺序的ITO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、ZnO纳米棒阵列层、CdSe壳层与CdTe量子点层组成的；其中：ZnO缓冲薄膜层的厚度是20～50nm；在ZnO纳米棒阵列层中，ZnO纳米棒的直径是20nm～60nm、高度0.5～3μm；CdSe壳层的厚度是10～60nm；CdTe量子点层的厚度是10～60nm；该ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极的饱和光电流密度达到9～15mA/cm<sup>2</sup>。 | ||
| 地址 | 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 | ||