| 摘要 |
<p>박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 기판은 기판 상에 형성된 반도체 패턴 및 도전 패턴, 제1 배선 패턴, 절연막 패턴 및 제2 배선 패턴을 포함한다. 도전 패턴은 반도체 패턴과 동일층으로부터 형성된다. 제1 배선 패턴은 반도체 패턴 상에 형성되며, 소오스 전극 및 상기 소오스 전극과 이격된 드레인 전극을 포함한다. 제2 배선 패턴은 절연막 패턴 상에 형성되며, 소오스 전극 및 드레인 전극의 윗부분에 형성되는 게이트 전극을 포함한다. 반도체 패턴은 산화물 반도체 물질을 포함하며, 도전 패턴은 산화물 반도체 물질의 플라즈마 처리를 통해 형성된 도전성 산화물을 포함한다. 이와 같은 박막 트랜지스터 기판은 2매 마스크를 이용하여 형성되므로, 마스크 공정의 감소에 따라 제조 원가가 절감된다.</p> |
