发明名称 氮化物半导体元件
摘要
申请公布号 TWI436494 申请公布日期 2014.05.01
申请号 TW095114914 申请日期 2006.04.26
申请人 日亚化学工业股份有限公司 日本 发明人 成川幸男;三谷友次;市川将嗣;北野彰;三崎贵生
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本