| 发明名称 |
具有降低之本体电位之ＳＯＩ电晶体以及形成该ＳＯＩ电晶体之方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI436430 |
申请公布日期 |
2014.05.01 |
| 申请号 |
TW096114198 |
申请日期 |
2007.04.23 |
| 申请人 |
高级微装置公司 美国 |
发明人 |
候尼史奇尔 詹;韦 安迪;布鲁蒙史提 乔;郝斯特门 马弗雷 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/76;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
