异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺

摘要

本发明公开了一种异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺，其中，异质结太阳能电池的界面处理方法是在异质结太阳能电池制备工艺中，采用离子注入工艺或扩散工艺对晶体硅片的正表面进行高掺杂处理，从而在晶体硅片正表面上形成一层重掺杂层，改变异质结太阳能电池的晶体硅片表面区域的费米能级，增加内建电场。通过该方法不仅可以增加晶体硅衬底界面的内建电场，能够更加有效地“拉动”耗尽区边界处载流子的分离以及输运，而且能有助于形成薄膜/晶体硅突变结，使得晶体硅基区部分的耗尽层宽度减小，增加了光吸收效率，降低了载流子的复合损耗，改善了异质结高效电池的电压特性。

主权项

一种异质结太阳能电池的界面处理方法，其特征在于：在异质结太阳能电池制备工艺中，采用离子注入工艺或扩散工艺对晶体硅片的正表面进行高掺杂处理，从而在晶体硅片正表面上形成一层重掺杂层（6），改变异质结太阳能电池的晶体硅片表面区域的费米能级，增加内建电场。