基于重构-等效啁啾和等效半边切趾的DFB半导体激光器及制备方法

摘要

本发明公开了基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，所述激光器的光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的取样布拉格光栅；光栅中的相移是通过等效啁啾技术设计引入的，称为等效相移，等效相移区的位置在取样光栅中心的+/-20%的区域范围内；有一个等效相移被引入到除0级外所有影子光栅中，切趾是通过沿激光器腔长方向逐渐改变取样光栅的取样结构即占空比的大小来等效地实现的，并且只在等效相移区的一侧取样光栅中引入等效切趾即所述的等效半边切趾。

主权项

1.基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，其特征是所述激光器的光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的取样布拉格光栅；光栅中的相移是通过等效啁啾技术设计引入的，称为等效相移，等效相移区的位置在取样光栅中心的+/-20%的区域范围内；有一个等效相移被引入到除0级外所有影子光栅中，在第m级影子光栅的光栅周期表示为:${\Lambda }_m=\frac{{\Lambda }_{0}P}{m{\Lambda }_0+P}---\left(1\right)$其中，P是取样光栅的取样周期，Λ₀是种子光栅的光栅周期；第m级影子光栅的布拉格波长可表示为：${\lambda }_m=2n_{\mathrm{eff}}{\Lambda }_m=\frac{2n_{\mathrm{eff}}{\Lambda }_{0}P}{m{\Lambda }_0+P}---\left(2\right)$其中，n_eff是材料的有效折射率；切趾是通过沿激光器腔长方向逐渐改变取样光栅的取样结构即占空比的大小来等效地实现的，并且只在等效相移区的一侧取样光栅中引入等效切趾即所述的等效半边切趾。