采用用于边缘终端元件的凹处的边缘终端结构

摘要

一种边缘终端结构的元件（诸如多个同心保护环）是漂移层中的有效掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成其中将形成所述边缘终端结构的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的这些区域被掺杂以形成相应的边缘终端元件。

主权项

一种半导体设备，包括：漂移层，其具有与活性区域和边缘终端区域相关联的第一表面，所述边缘终端区域同所述活性区域基本上横向相邻，其中所述漂移层主要地掺杂有第一电导率类型的掺杂材料，并且所述边缘终端区域包括延伸到所述漂移层中的多个边缘终端元件凹处；多个第一掺杂区域，其延伸到在所述多个边缘终端元件凹处中对应多个的附近的漂移层中以形成多个边缘终端元件，其中所述多个第一掺杂区域掺杂有第二电导率类型的掺杂材料，所述第二电导率类型与所述第一电导率类型相对；和在所述第一表面的活性区域之上的用以形成肖特基结的肖特基层。