| 发明名称 | 复合式半导体桥 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种复合式半导体桥，它包括半导体层和沉积在半导体层上的金属底层，所述的金属底层上沉积有第一电极和第二电极，所述的金属底层上沉积有发火物质，所述的发火物质包括金属层和金属氧化物层，所述的金属层和金属氧化物层分别至少有两层且金属层和金属氧化物层交叉沉积。其优点是：采用新的结构，发火物质采用复合结构，控制精度高。 | ||
| 申请公布号 | CN203572338U | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201320655007.8 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 成都市宏山科技有限公司 | 发明人 | 黄友华 |
| 分类号 | F42B3/13(2006.01)I | 主分类号 | F42B3/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 复合式半导体桥，其特征在于：它包括半导体层（3）和沉积在半导体层（3）上的金属底层（4），所述的金属底层（4）上沉积有第一电极（5）和第二电极（6），所述的金属底层（4）上沉积有发火物质，所述的发火物质包括金属层和金属氧化物层，所述的金属层和金属氧化物层分别至少有两层且金属层和金属氧化物层交叉沉积。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层 | ||