相变存储单元及相变存储器

摘要

本发明提供一种相变存储单元，所述相变存储单元包括：一数据写入电路，该数据写入电路包括依次串联的一第一电极、至少一碳纳米管层以及一第二电极，用于相变存储单元工作过程中的数据写入；一数据读取电路，该数据读取电路包括依次串联的一第三电极、至少一相变层以及一第四电极，用于相变存储单元工作过程中的数据读取，其中，所述至少一相变层与所述至少一碳纳米管层至少部分层叠设置。本发明进一步提供一种具有所述相变存储单元的相变存储器。

主权项

一种相变存储单元，所述相变存储单元包括： 一数据写入电路，该数据写入电路包括依次串联的一第一电极、至少一碳纳米管层以及一第二电极，用于相变存储单元工作过程中的数据写入； 一数据读取电路，该数据读取电路包括依次串联的一第三电极、至少两层相变层以及一第四电极，用于相变存储单元工作过程中的数据读取； 其特征在于，所述至少一相变层与所述至少一碳纳米管层至少部分层叠设置，所述碳纳米管层为一连续的层状结构，所述碳纳米管层包括通过范德华力相连的多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本平行于碳纳米管层表面，所述碳纳米管层夹持于两层相变层之间。