Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Durchkontaktierung in einem Substrat sowie Substrat mit einer elektrischen Durchkontaktierung

摘要

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Durchkontaktierung in einem Substrat sowie ein Substrat mit einer elektrischen Durchkontaktierung. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Bilden einer Ätzstoppschicht (IU, 15‘) auf der Vorderseite (V) des Substrats (2); Bilden einer Maske (G) auf der Rückseite (R) des Substrats (2) Bilden eines ringförmigen Grabens (20) im Substrat (2), welcher sich von der Rück-seite (R) bis zur Vorderseite (V) erstreckt, durch einen Ätprozess, welcher an der Ätzstoppschicht (IU, 15‘) stoppt, unter Verwendung der Maske (G), wobei der Gra-ben (20) einen Substratstempel (2a) umgibt; Abscheiden einer Metallschicht (40) über der Rückseite (R) des Substrats (2) unter Verwendung der Maske (G), wobei die Metallschicht (40) in den ringförmigen Gra-ben (20) eindringt und sich auf dem Substratstempel (2a) niederschlägt; Bilden einer Metallsilizidschicht (41) auf dem Substratstempel (2a) durch zumindest teilweises Umwandeln der Metallschicht (40) in die Metallsilizidschicht (41) auf dem Substratstempel (2a); selektives Entfernen von einem Rest der Metallschicht (40); und Verschließen des ringförmigen Grabens (20) an der Rückseite (R) des Substrats (2).