发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
在半导体装置(SD)中,在下部电极(LEL)上介有电介体膜(DEC),而形成有平板状的上部电极(UEL)。由下部电极(LEL)、电介体膜(DEC)以及上部电极(UEL)构成MIM电容器(MCA)。在其之间不介有保护环,且都隔开相同的间隔(D1)配置有相互相邻的一个上部电极(UEL)和其他上部电极(UEL)。隔开与间隔(D1)相同的间隔配置有位于最外周的上部电极(UEL)与位于其外侧的保护环(GR)。 |
申请公布号 |
CN103765574A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201180073006.6 |
申请日期 |
2011.08.24 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
富田和朗;山田圭一 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
许海兰 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于包括:半导体基板,具有主表面;多个MIM电容器MCA,配置于所述半导体基板的所述主表面侧的规定的区域中,分别包括下部电极LEL、电介体膜DEC以及上部电极UEL;以及保护环GR,配置成包围多个所述MIM电容器MCA的整体,在多个所述MIM电容器MCA中,在一个MIM电容器MCA与其他MIM电容器MCA之间,不介有所述保护环GR,隔开规定的间隔D1配置相互相邻的所述一个MIM电容器MCA和所述其他MIM电容器MCA,在所配置的多个所述MIM电容器MCA中的、位于最外侧的MIM电容器MCA的外侧,隔开与所述规定的间隔D1相同的间隔配置了所述保护环GR。 |
地址 |
日本神奈川 |