发明名称 半导体装置
摘要 在半导体装置(SD)中,在下部电极(LEL)上介有电介体膜(DEC),而形成有平板状的上部电极(UEL)。由下部电极(LEL)、电介体膜(DEC)以及上部电极(UEL)构成MIM电容器(MCA)。在其之间不介有保护环,且都隔开相同的间隔(D1)配置有相互相邻的一个上部电极(UEL)和其他上部电极(UEL)。隔开与间隔(D1)相同的间隔配置有位于最外周的上部电极(UEL)与位于其外侧的保护环(GR)。
申请公布号 CN103765574A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201180073006.6 申请日期 2011.08.24
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 富田和朗;山田圭一
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 许海兰
主权项 一种半导体装置,其特征在于包括:半导体基板,具有主表面;多个MIM电容器MCA,配置于所述半导体基板的所述主表面侧的规定的区域中,分别包括下部电极LEL、电介体膜DEC以及上部电极UEL;以及保护环GR,配置成包围多个所述MIM电容器MCA的整体,在多个所述MIM电容器MCA中,在一个MIM电容器MCA与其他MIM电容器MCA之间,不介有所述保护环GR,隔开规定的间隔D1配置相互相邻的所述一个MIM电容器MCA和所述其他MIM电容器MCA,在所配置的多个所述MIM电容器MCA中的、位于最外侧的MIM电容器MCA的外侧,隔开与所述规定的间隔D1相同的间隔配置了所述保护环GR。
地址 日本神奈川