发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种能利用一个装置选择性地实现多种电路的、富有通用性的半导体装置。并且,本发明在半导体装置(SD1H)中利用外部布线(L11)来对E1C2用端子(24H)、K用端子(25H)之间进行电连接,从而实现与上臂用半导体装置等效的电路。另一方面,在具有与半导体装置(SD1H)相同结构的电路的半导体装置(SD1L)中,利用外部布线(L12)来将A用端子(23L)、E1C2用端子(24)之间进行电连接,从而实现与上臂用半导体装置不同种类的与下臂用半导体装置等效的电路。 |
申请公布号 |
CN103765749A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201180073080.8 |
申请日期 |
2011.08.30 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
石井一史 |
分类号 |
H02M7/00(2006.01)I;H02M7/483(2007.01)I |
主分类号 |
H02M7/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,包括:串联连接的第1及第2自关断元件(11,12);第1及第2二极管(D1,D2),该第1及第2二极管(D1,D2)的阴极与所述第1及第2自关断元件的第1电极相连,其阳极与第2电极相连;第3二极管(D3);以及壳体(1),该壳体(1)收纳所述第1及第2自关断元件以及所述第1至第3二极管,所述第3二极管在所述壳体内与所述第1及第2自关断元件、以及所述第1及第2二极管均绝缘。 |
地址 |
日本东京 |