太阳能晶片掺杂方法、掺杂晶片、太阳能电池及制作方法

摘要

本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面形成N型扩散层；在该N型扩散层表面形成具有图样的薄膜；蚀刻去除该开放区域的N型扩散层，并形成侧蚀，其中蚀刻深度至少为N型扩散层的厚度；通过离子注入的方式形成P+型掺杂区域；去除该具有图样的薄膜以获得包括该N型扩散层、且具有P+型掺杂区域的掺杂N型基底；对掺杂N型基底进行热处理形成N+型掺杂区域。本发明还公开了一种掺杂晶片、太阳能电池和太阳能电池的制作方法。本发明简化了工艺步骤，无需购买光刻机，无需使用多张掩模板，不存在掩模板校准问题且降低了制作成本。

主权项

一种太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S₁、在N型基底表面形成N型扩散层；步骤S₂、在该N型扩散层表面形成具有图样的薄膜，其中，未被该具有图样的薄膜覆盖的区域为开放区域；步骤S₃、蚀刻去除该开放区域的N型扩散层，并在该具有图样的薄膜下方靠近该开放区域的一端的该N型扩散层中形成侧蚀，其中蚀刻深度至少为该N型扩散层的厚度；步骤S₄、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底中以形成P+型掺杂区域；步骤S₅、去除该具有图样的薄膜以获得包括未经蚀刻的N型扩散层、且具有P+型掺杂区域的掺杂N型基底；步骤S₆、对步骤S₅中得到的掺杂N型基底进行热处理，使该未经蚀刻的N型扩散层中的N型离子扩散至该掺杂N型基底中以形成N+型掺杂区域，其中，该P+型掺杂区域与该N+型掺杂区域互不接触，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。