Passivierungsschicht und Verfahren zum Herstellen einer Passivierungsschicht
摘要
<p>Es sind eine Passivierungsschicht und ein Verfahren (200) zum Herstellen einer Passivierungsschicht offenbart. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zum Herstellen einer Passivierungsschicht das Aufbringen einer ersten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf ein Werkstück, wobei die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht Stickstoff umfasst (204), und das in-situ Aufbringen einer zweiten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht Sauerstoff umfasst (206).</p>
