发明名称 |
一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明属于纳米材料和光电功能材料技术领域,具体为一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用。本发明以硫氰酸亚铜薄膜为前体,通过与碱溶液反应获得氧化亚铜纳米线多孔薄膜。本发明提出的氧化亚铜纳米线多孔薄膜可作为光电转换材料,在功能材料和器件领域还有广泛的用途。 |
申请公布号 |
CN103754925A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201410014003.0 |
申请日期 |
2014.01.13 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
徐伟;肖星星;夏鹏 |
分类号 |
C01G3/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G3/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜的制备方法,其特征在于,以硫氰酸亚铜薄膜为前体,在碱溶液中浸泡处理,通过化学反应原位制备,碱溶液采用氢氧化钠水溶液;具体步骤为:在基底表面上先沉积铜膜,铜膜厚度为50‑180纳米;然后将铜膜浸入到浓度为0.5~2 毫摩尔/升的硫氰酸铵溶液中,浸泡1.5~5小时,通过化学反应形成硫氰酸亚铜薄膜;然后用去离子水充分洗涤,再将硫氰酸亚铜薄膜浸入到浓度为5~20毫摩尔/升的氢氧化钠溶液中,反应0.5‑3小时;从溶液中取出薄膜,用去离子水充分洗涤,再干燥,即在基底表面上原位形成氧化亚铜纳米线多孔薄膜。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |