发明名称 一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用
摘要 本发明属于纳米材料和光电功能材料技术领域,具体为一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用。本发明以硫氰酸亚铜薄膜为前体,通过与碱溶液反应获得氧化亚铜纳米线多孔薄膜。本发明提出的氧化亚铜纳米线多孔薄膜可作为光电转换材料,在功能材料和器件领域还有广泛的用途。
申请公布号 CN103754925A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201410014003.0 申请日期 2014.01.13
申请人 复旦大学 发明人 徐伟;肖星星;夏鹏
分类号 C01G3/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G3/02(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项 一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜的制备方法,其特征在于,以硫氰酸亚铜薄膜为前体,在碱溶液中浸泡处理,通过化学反应原位制备,碱溶液采用氢氧化钠水溶液;具体步骤为:在基底表面上先沉积铜膜,铜膜厚度为50‑180纳米;然后将铜膜浸入到浓度为0.5~2 毫摩尔/升的硫氰酸铵溶液中,浸泡1.5~5小时,通过化学反应形成硫氰酸亚铜薄膜;然后用去离子水充分洗涤,再将硫氰酸亚铜薄膜浸入到浓度为5~20毫摩尔/升的氢氧化钠溶液中,反应0.5‑3小时;从溶液中取出薄膜,用去离子水充分洗涤,再干燥,即在基底表面上原位形成氧化亚铜纳米线多孔薄膜。
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号