发明名称 |
一种铁电存储器 |
摘要 |
本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容,包括:基底层1,上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中,形成铁电薄膜层4。 |
申请公布号 |
CN103762311A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201410038707.1 |
申请日期 |
2014.01.26 |
申请人 |
江苏巨邦环境工程集团股份有限公司 |
发明人 |
常琦 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 |
代理人 |
刘洪勋 |
主权项 |
1.一种铁电存储器的铁电薄膜电容,包括:基底层1,上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中,形成铁电薄膜层4,多种取代基的硅杂环己二烯:<img file="FDA0000462299710000011.GIF" wi="848" he="568" />式(1)中,R1、R2相同或不同,代表烷基或芳基;R3代表氢、醛基、酮基、酯基、磷酸基;R4代表烷基、芳基;R5代表氢、烷基、烯基、芳基;R6代表烷基、芳基。上述的烷基优选C1-C6的直链或支链烷基,如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基等。 |
地址 |
226600 江苏省南通市海安县白甸镇思进工业园区 |