发明名称 一种铁电存储器
摘要 本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容,包括:基底层1,上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中,形成铁电薄膜层4。
申请公布号 CN103762311A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201410038707.1 申请日期 2014.01.26
申请人 江苏巨邦环境工程集团股份有限公司 发明人 常琦
分类号 H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I 主分类号 H01L51/05(2006.01)I
代理机构 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人 刘洪勋
主权项 1.一种铁电存储器的铁电薄膜电容,包括:基底层1,上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中,形成铁电薄膜层4,多种取代基的硅杂环己二烯:<img file="FDA0000462299710000011.GIF" wi="848" he="568" />式(1)中,R1、R2相同或不同,代表烷基或芳基;R3代表氢、醛基、酮基、酯基、磷酸基;R4代表烷基、芳基;R5代表氢、烷基、烯基、芳基;R6代表烷基、芳基。上述的烷基优选C1-C6的直链或支链烷基,如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基等。
地址 226600 江苏省南通市海安县白甸镇思进工业园区