MOS器件制备方法

摘要

一种MOS器件制备方法，属于半导体制造技术领域，具体步骤包括：(1)提供一半导体衬底，以STI定义有源器件区域并进行阱区离子注入；(2)制备多晶硅栅及第一侧墙；(3)旋涂光刻胶并图形化暴露出需进行离子注入的区域；(4)进行源/漏区域的离子注入；(5)去除第一侧墙并进行LDD离子注入；(6)去除光刻胶，制备多晶硅栅第二侧墙。MOS器件源/漏区域的离子注入与LDD离子注入共用一块掩膜版、进行一次光刻完成，具有较低的工艺成本和更简单的工艺步骤，能够有效降低热载流子效应，并防止栅致漏极泄漏的发生，进一步保证MOS器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种MOS器件制备方法，其特征在于，采用同一掩膜版实现源/漏区域的离子注入和LDD离子注入，其中，所述源/漏区域的离子注入先于所述LDD离子注入完成，所述源/漏区域的离子注入同时以多晶硅栅侧墙作为掩膜；所述方法包括以下步骤：（1）提供一半导体衬底，以STI定义有源器件区域并进行阱区离子注入；（2）制备形成多晶硅栅及第一侧墙；（3）旋涂光刻胶，并图形化暴露出需进行离子注入的区域；（4）进行所述源/漏区域的离子注入；（5）去除所述第一侧墙，并进行所述LDD离子注入；（6）去除所述光刻胶，制备形成多晶硅栅第二侧墙；其中，所述步骤（2）具体包括以下步骤：（201）依次沉积栅氧化层、多晶硅层，并刻蚀形成多晶硅栅；（202）快速热氧化形成第一氧化层；（203）依次沉积第二氧化层、阻挡层；（204）形成多晶硅栅第一侧墙。