发明名称 |
化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法;首先采用含硅有机化合物作为硅掺杂源,采用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜,然后原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜,以制备硅掺杂复合金刚石薄膜。与现有技术相比,本发明可以更加精确地控制碳源或硅掺杂源和碳源混合溶液的流量并实现定量掺杂,硅掺杂复合金刚石薄膜既具有优异的附着性能,又具有极高的表面硬度和耐磨损性能,适用于对金刚石薄膜的附着性能和耐磨损性能综合要求很高的各类应用场合。 |
申请公布号 |
CN103757600A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201410005272.0 |
申请日期 |
2014.01.06 |
申请人 |
上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司 |
发明人 |
王新昶;孙方宏;沈彬;张志明;郭松寿;张文骅 |
分类号 |
C23C16/27(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/27(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
郭国中 |
主权项 |
一种化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括:以含硅有机化合物作为硅掺杂源,采用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜;然后原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜,制得硅掺杂复合金刚石薄膜。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |