Projektionsbelichtungssystem für EUV-Lithographie und Verfahren zum Betreiben des Projektionsbelichtungssystems

摘要

Die Erfindung betrifft ein Projektionsbelichtungssystem (100) für EUV-Lithographie umfassend:–eine Beleuchtungseinrichtung (120) zum Erzeugen einer EUV-Strahlung (400) mit definierten Eigenschaften,–eine im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung (120) angeordnete Retikelstage (130) zur Aufnahme eines Transmissionsretikels (200), und–eine der Retikelstage (130) optisch nachgeschaltete Projektionsoptik (140) zum Projizieren der durch das Transmissionsretikel (200) transmittierten EUV-Strahlung (400) auf eine Waferstage (150).