| 发明名称 | Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 系半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高品质的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系半导体元件。作为一个实施方式，提供Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系半导体元件（20），包含：n型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板（2），在n型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板（2）上形成的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜（3），在β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜（3）上形成的源电极（22a）、（22b），在n型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板（2）的与β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜（3）相反侧的面上形成的漏电极（25），在β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜（3）中形成的连接源电极（22a）、（22b）的n型接触区域（23a）、（23b），以及在β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜（3）上介由栅极绝缘膜（26）形成的栅电极（21）。 | ||
| 申请公布号 | CN103765593A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201280043335.0 | 申请日期 | 2012.09.07 |
| 申请人 | 株式会社田村制作所;独立行政法人情报通信研究机构 | 发明人 | 佐佐木公平;东胁正高 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 苗堃;金世煜 |
| 主权项 | 一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系半导体元件，包括：具有第1导电型的β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板，在所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上直接或介由其它膜形成的β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜，在所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜上形成的源电极，在所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板的与所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜相反侧的面上形成的漏电极，在所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜中形成的、连接所述源电极的具有所述第1导电型的接触区域，以及在所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜上或在形成于所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶膜的槽内介由栅极绝缘膜形成的栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||