| 发明名称 | 一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明属于材料领域，具体涉及一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用。该导电涂层是通过化学氧化法使噻吩或噻吩衍生物在绝缘聚合物膜上进行原位聚合得到的。聚合单体优选噻吩和3-甲基噻吩；绝缘聚合物膜优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨基双马来酰亚胺或聚苯乙烯。此外，本发明还提供一种高导电率的聚噻吩导电涂层的制备方法，通过聚噻吩与绝缘聚合物膜的紧密连接，使得该导电涂层不仅具有优良的导电性同时还具有通用高分子的柔韧性。该导电涂层的导电率可达10<sup>-3</sup>S/cm量级，其可以应用于电磁波屏蔽、防静电和有机电子器件等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN103753926A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201410021115.9 | 申请日期 | 2014.01.16 |
| 申请人 | 中科院广州化学有限公司 | 发明人 | 何宇;杨坤;陈荣;许凯;陈鸣才;方燕;许正敏 |
| 分类号 | B32B33/00(2006.01)I;B32B27/08(2006.01)I;C09D165/00(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I | 主分类号 | B32B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 张燕玲 |
| 主权项 | 一种高导电率的聚噻吩导电涂层，其特征在于，是通过化学氧化法使噻吩或噻吩衍生物在绝缘聚合物膜上进行原位聚合形成聚噻吩或聚噻吩衍生物得到的；所述聚噻吩或聚噻吩衍生物在绝缘聚合物膜上的厚度为30～100μm。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市天河区兴科路368号 | ||