发明名称 |
一种薄膜晶体管的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法,包括:1)在准分子激光退火的多晶硅薄膜上沉积低温氧化层和非晶Si层;2)旋涂光刻胶;3)对光刻胶曝光,形成条状图案;4)离子注入;5)剥离光刻胶,蚀刻掉非晶Si和低温氧化层;6)刻蚀步骤5)得到的多晶硅薄膜,形成有源岛;7)用氧等离子除去光刻胶;8)去除自然氧化层,然后用LPCVD法沉积低温氧化物作为栅极绝缘层,再形成栅电极;9)对P型沟道和N型沟道TFT分别掺入硼和磷,作为源极和漏极;10)沉积低温氧化物隔离层并同时激活掺杂物,打开接触孔,形成接触导线并图案化。 |
申请公布号 |
CN103762174A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201110461865.4 |
申请日期 |
2011.12.31 |
申请人 |
广东中显科技有限公司 |
发明人 |
赵淑云;郭海成;王文 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 |
代理人 |
苗青盛;王凤华 |
主权项 |
一种薄膜晶体管的制备方法,包括:1)在准分子激光退火的多晶硅薄膜上沉积低温氧化层和非晶Si层;2)旋涂光刻胶;3)对光刻胶曝光,形成条状图案;4)离子注入;5)剥离光刻胶,蚀刻掉非晶Si和低温氧化层;6)刻蚀步骤5)得到的多晶硅薄膜,形成有源岛;7)用氧等离子除去光刻胶;8)去除自然氧化层,然后用LPCVD法沉积低温氧化物作为栅极绝缘层,再形成栅电极;9)对P型沟道和N型沟道TFT分别掺入硼和磷,作为源极和漏极;10)沉积低温氧化物隔离层并同时激活掺杂物,打开接触孔,形成接触导线并图案化。 |
地址 |
528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 |