发明名称 一种发光二极管
摘要 本实用新型提供一种封装成本低、发光效率高、散热好的发光二极管。一种发光二极管,包括支架及其两导电脚,安装在支架上的芯片,连接芯片与支架导电脚的焊线,封装支架及芯片的封装胶体,所述芯片包括正型半导体材料层,发光层、负型半导体材料层和负型半导体材料层上的负电极,所述正型半导体材料层上粘附有导电支撑基材,所述负电极覆盖的区域形成有穿透正型半导体材料层,发光层并接触负型半导体材料层的电流阻挡区域,所述负型半导体材料层的出光面形成有粗化结构,所述导电支撑基材通过导电胶与支架的一导电脚电连接,所述负型半导体材料层上的负电极通过焊线与支架的另一导电脚电连接。
申请公布号 CN203574001U 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201320534855.3 申请日期 2013.08.29
申请人 刘晶 发明人 刘晶;叶国光
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人 汤喜友
主权项 一种发光二极管,包括支架及其两导电脚,安装在支架上的芯片,连接芯片与支架导电脚的焊线,封装支架及芯片的封装胶体,所述芯片包括正型半导体材料层,发光层、负型半导体材料层和负型半导体材料层上的负电极,其特征在于:所述正型半导体材料层上粘附有导电支撑基材,所述负电极覆盖的区域形成有穿透正型半导体材料层,发光层并接触负型半导体材料层的电流阻挡区域,所述负型半导体材料层的出光面形成有粗化结构,所述导电支撑基材通过导电胶与支架的一导电脚电连接,所述负型半导体材料层上的负电极通过焊线与支架的另一导电脚电连接。
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