VERFAHREN ZUM VERARBEITEN EINES HALBLEITERTRÄGERS, HALBLEITERCHIPANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS

摘要

Es ist ein Verfahren (100) zum Verarbeiten eines Halbleiterträgers vorgesehen, das Verfahren enthaltend: Bereitstellen eines Halbleiterträgers mit einem dotierten Substratbereichs und einem Bauelementbereich, der über einer ersten Seite des dotierten Substratbereichs angeordnet wird, wobei der Bauelementbereich mindestens einen Teil von einem oder mehreren Bauelementen enthält (110); und Implantieren von Ionen in den dotierten Substratbereich zum Ausbilden eines Getter-Bereichs im dotierten Substratbereichs des Halbleiterträgers (120).