包括碳基存储器元件的存储器单元及其形成方法

摘要

根据本发明的方面，提供了形成存储器单元的方法，该方法包括：在衬底上形成操纵元件；以及形成与所述操纵元件耦接的存储器元件，其中所述存储器元件包括具有不大于十个原子层的厚度的碳基材料。可以通过重复进行以下步骤形成所述存储器元件：形成碳基材料的层，该层具有大约一个单层的厚度；以及使所述碳基材料的层经历热退火。还描述了其他方面。

主权项

一种形成存储器单元的方法，包括：在衬底上形成操纵元件；以及形成与所述操纵元件耦接的存储器元件，其中所述存储器元件包括金属‑绝缘体‑金属堆叠，所述金属‑绝缘体‑金属堆叠包括夹在两个导电层之间的碳基材料，所述碳基材料设置于所述导电层之一的上方，且所述导电层的另一个设置于所述碳基材料的上方，所述碳基材料具有不大于十个原子层的厚度。