半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，能够抑制通过向栅极电极附近的半导体层表面注入载流子而产生的场效应晶体管的沟道狭窄。半导体装置具有：场效应晶体管，具有与半导体层连接的源极电极及漏极电极、栅极电极和场板电极，该栅极电极设置于源极电极和漏极电极之间的半导体层的表面上，该场板电极通过绝缘层设置于栅极电极附近的半导体层的表面上，该场效应晶体管将输入到栅极电极的高频信号放大，并从漏极电极进行输出；以及分压电路，对漏极电极与基准电位GND的电位差进行分压，以使场板电极的各部位达到彼此相等的电位的方式施加偏置电压，根据施加给场板电极的偏置电压抑制沟道狭窄。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：场效应晶体管，具有与半导体层连接的源极电极及漏极电极、栅极电极和场板电极，该栅极电极设置于所述源极电极和漏极电极之间的所述半导体层的表面上，该场板电极通过绝缘层设置于所述栅极电极附近的所述半导体层的表面上，该场效应晶体管将输入到所述栅极电极的高频信号放大，并从漏极电极进行输出；以及分压电路，对所述漏极电极与基准电位的电位差进行分压，以使所述场板电极的各部位达到彼此相等的电位的方式施加偏置电压。