Superjunction-Halbleitervorrichtung mit einem Zellengebiet und einem Randgebiet

摘要

Eine Superjunction-Halbleitervorrichtung kann eine oder mehrere dotierte Zonen (110) umfassen, die in einem Zellengebiet ausgebildet sind. Zwischen einer dotierten Schicht (130) eines ersten Leitungstyps und der einen oder mehreren dotierten Zonen (110) ist eine Driftschicht (120) ausgebildet. Die Driftschicht (120) umfasst erste Bereiche (121) des ersten Leitungstyps und zweite Bereiche (122) eines dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten zweiten Leitungstyps. In einem das Zellengebiet (210) einfassenden Randgebiet (290) können die ersten Bereiche (121) erste, die zweiten Bereiche (122) in einer ersten Richtung trennende Teilbereiche (121a) und zweite, die zweiten Bereiche in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung trennende Teilbereiche (121b) umfassen. Die ersten und zweiten Teilbereiche (121a, 121b) sind so angeordnet, dass ein längster zweiter Bereich (122) in dem Randgebiet (290) höchstens halb so lang ist wie die Ausdehnung des Randgebiets (290) parallel zu dem längsten zweiten Bereich (122).