| 摘要 |
<p>Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer (2), wobei der Wafer (2) eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, die durch Straßen (21) definiert sind, die in einem Gittermuster auf einer Fläche des Wafers ausgebildet sind, wobei die definierten Bereiche eine Mehrzahl von Vorrichtungen (22) darin ausgebildet aufweisen, wobei das Verfahren angeordnet wird, um den Wafer (2) mit einem Laserstrahl entlang der Straßen (21) zu bestrahlen, wodurch laserbearbeitete Nuten (210) entlang der Straßen (21) ausgebildet werden, umfassend: einen Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut (210) eines Bestrahlens des Wafers (2) mit dem Laserstrahl, welcher eine Wellenlänge aufweist, die an dem Wafer (2) absorbierbar ist, entlang der Straßen (21), wobei ein Brennpunkt auf einer Laserstrahl-Bestrahlungsoberfläche des Wafers (2) positioniert wird, wodurch die laserbearbeiteten Nuten (210) entlang der Straßen (21) ausgebildet werden; und einen Endbearbeitungsschritt der bearbeiteten Nut (210) eines Bestrahlens des Wafers (2) mit dem Laserstrahl, welcher eine Wellenlänge aufweist, die an dem Wafer (2) absorbierbar ist, entlang der laserbearbeiteten Nuten (210) mit einem Brennpunkt, der unter einem Boden der laserbearbeiteten Nuten (210) positioniert wird, die durch den Ausbildungsschritt der bearbeiteten Nut (210) gebildet werden, wodurch stachelartige Vorsprünge oder Erhebungen (211) entfernt werden, die auf beiden Seiten der laserbearbeiteten Nut (210) ausgebildet sind und beide Seiten (Wände) der laserbearbeiteten Nuten (210) endbearbeitet werden, wobei die Laserstrahlen im Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut (210) und im Endbearbeitungsschritt der bearbeiteten Nut (210) vom selben Laserstrahlbestrahlungsmittel (52) oszilliert werden.</p> |
