| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置和阻挡层 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，用以提高薄膜晶体管的电学性能，提高显示装置显示图像的画质。本发明提供的薄膜晶体管包括：位于基板上的栅极、源极、漏极、半导体层、栅极绝缘层以及第一金属阻挡层；所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述半导体层之间；所述第一金属阻挡层位于所述源极、漏极与栅极绝缘层之间；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层设置，所述第一金属阻挡层阻止形成源极和漏极的材料与形成栅极的材料的相互扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN103765597A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201380002182.X | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔;王刚 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：位于基板上的栅极、源极、漏极、半导体层、栅极绝缘层以及第一金属阻挡层；所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述半导体层之间；所述第一金属阻挡层位于所述源极、漏极与栅极绝缘层之间；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层设置，所述第一金属阻挡层阻止形成源极和漏极的材料与形成栅极的材料的相互扩散。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||