一种提高发光二极管发光效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高发光二极管发光效率的方法，发光二极管外延片结构中发光层中垒层的生长方式采用了一种新颖的方法：通过生长不同厚度的垒层，提高电子空穴的复合效率从而提高发光效率。本发明方法的设计既保证了较高的复合效率又保持了较低的正向电压，通过加厚靠近N型层一侧的垒层厚度可以更好的限制电子的迁移运动，防止电子越过MQW区域在P型层与空穴复合，而降低靠近P型层一侧的垒层厚度，使空穴更容易越过垒层与电子在量子阱中复合从而提升出光效率。

主权项

一种提高发光二极管发光效率的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，高温缓冲层，第一N型层，第二N型层，第三N型层，第四N型层，发光层，第一P型层，第二P型层，第三P型层；其特征在于：发光层中采用具有不同厚度的垒层来提高发光效率：靠近N型层一侧的垒层厚度为15nm到20nm，而靠近P型层一侧的垒层的厚度在5到15nm；垒层的生长厚度介于5nm至20nm之间，生长温度介于800℃至1050℃之间，V/III摩尔比介于1000至20000之间。