一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体及其制备方法

摘要

一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体及其制备方法，涉及一种半导体。一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，分子式为Zn_1-xTM_xO，TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x＝0.01～0.10。将锌盐溶解在离子液体中，加热至溶液透明；往溶液中加入过渡金属盐至全部溶解，得混合溶液；将混合溶液加热回流，自然冷却至室温，将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，得到的粉末干燥，即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。晶体生长的温度低，设备要求简单，反应条件温和，溶剂非挥发，整个反应过程绿色环保，原料廉价。

主权项

一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体的制备方法，其特征在于所述一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，其分子式为Zn_1‑xTM_xO，其中TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x=0.01～0.10；所述过渡金属为Ni；所述制备方法，包括以下步骤：1）将锌盐溶解在离子液体中，浓度为0.5～4wt%，加热至溶液透明；所述锌盐为Zn(CH₃COO)₂·2H₂O，Zn(NO₃)₂·4H₂O或ZnCl₂；所述离子液体为N(C₄H₉)₄OH·30H₂O，N(C₃H₇)₄OH·30H₂O或N(C₂H₅)₄OH·30H₂O；2）往步骤1）制得的溶液中加入过渡金属盐至全部溶解，得混合溶液；所述过渡金属盐为Ni的金属盐，过渡金属盐的阴离子与锌盐的阴离子一致；所述过渡金属盐与锌盐的摩尔比为1∶99～9；3）将步骤2）制得的混合溶液加热回流，自然冷却至室温，将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，得到的粉末干燥，即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。