两端子多通道ESD器件及其方法

摘要

本发明涉及两端子多通道ESD器件及其方法。在一个实施方式中，两端子多通道ESD器件配置成包括齐纳二极管和多个P-N二极管。

主权项

一种ESD器件，包括：具有第一传导类型并具有第一掺杂浓度的半导体基底，所述半导体基底具有第一表面和第二表面；在所述半导体基底的所述第一表面上的第二传导类型的第一半导体层，所述第一半导体层具有远离所述半导体基底的所述第一表面的第一表面并具有第二掺杂浓度；在所述第一半导体层的第一表面上的第一传导类型的第二半导体层，所述第二半导体层具有远离所述第一半导体层的所述第一表面的第一表面并具有第三掺杂浓度；在所述第二半导体层的第一表面上的第二传导类型的第三半导体层，所述第三半导体层具有远离所述第二半导体层的所述第一表面的第一表面并具有第四掺杂浓度；位于所述第三半导体层的第一部分和所述第二半导体层的第一表面之间的第二传导类型的第一半导体区，所述第一半导体区形成具有所述第二半导体层的掺杂物的齐纳二极管；形成为第一多连通域的第一隔离槽，所述第一多连通域具有周界并从所述第三半导体层的第一表面延伸到所述半导体基底中，其中所述周界至少围绕所述第三半导体层的所述第一部分；以及在所述第三半导体层的所述第一部分中形成的多个二极管。