| 发明名称 | 一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置，包括：衬底以及衬底上形成的基底绝缘层；栅电极、源电极和漏电极，其中，栅电极设在基底绝缘层上，在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层，氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包括源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区；钝化层，其设在部分栅电极绝缘层、源电极、漏电极以及氧化物半导体层上；遮光层，其设在所述钝化层上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层；包括第一电极和第二电极的有机发光体，其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层与所述源电极或者漏电极电连接。采用本发明可提高元件的导电性能和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103762223A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201310753193.3 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 刘思呈 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建;刘华联 |
| 主权项 | 一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置，其特征在于，包括：衬底以及衬底上形成的基底绝缘层；栅电极、源电极和漏电极，其中，栅电极设在基底绝缘层上，在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层，氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包括分别与所述源电极和漏电极电接触的源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区；钝化层，其设在部分栅电极绝缘层、源电极、漏电极以及氧化物半导体层上；遮光层，其设在所述钝化层上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层；包括第一电极和第二电极的有机发光体，其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层与所述源电极或者漏电极电连接。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||