发明名称 |
一种高温超导涂层导体RESbO<sub>3</sub>缓冲层及其制备方法 |
摘要 |
一种制备高温超导涂层导体RESbO<sub>3</sub>缓冲层及其制备方法,属于高温超导材料制备技术领域。所述高温超导涂层导体缓冲层,是由RE<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>外延成相热处理生成的RESbO<sub>3</sub>氧化物固溶体,RE为Y(钇)、Sm(钐)、Dy(镝)或Ho(钬)中的一种。它能在900℃以上氢氩还原气体的环境中外延生成,并且结构致密,表面平整,能在随后的涂层导体超导层的制备过程中保持结构的稳定。所述高温超导涂层导体缓冲层的制备方法采用以乙酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在氢氩还原气氛中进行制备,具备操作简单,成本低廉,适合大规模沉积等优点。主要用于制备高温超导涂层导体的RESbO<sub>3</sub>缓冲层。 |
申请公布号 |
CN103755382A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201410016180.2 |
申请日期 |
2014.01.14 |
申请人 |
西南交通大学 |
发明人 |
张欣;赵勇;程华;张勇 |
分类号 |
C04B41/50(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/50(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
李顺德;王睿 |
主权项 |
一种高温超导涂层导体RESbO<sub>3</sub>缓冲层,其特征在于:它是由RE<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>外延成相热处理生成的RESbO<sub>3</sub>氧化物固溶体。 |
地址 |
610031 四川省成都市二环路北一段111号 |