发明名称 CIGS膜的制法和使用其的CIGS太阳能电池的制法
摘要 为了提供即使在制造大面积元件时,也能低成本、再现性好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法和包括其的CIGS太阳能电池的制法,本发明包括:层叠工序,其中,在基板上以固相状态依次层叠包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B);加热工序,其中,对层叠了上述层(A)和层(B)的层叠体进行加热,使上述层(B)的铜和硒的化合物熔融并呈液相状态,由此使上述层(B)中的铜扩散到上述层(A)中,使晶体生长得到CIGS膜。
申请公布号 CN103765604A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201280042573.X 申请日期 2012.09.05
申请人 日东电工株式会社 发明人 西井洸人;森田成纪;寺地诚喜;细川和人;峯元高志
分类号 H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/04(2014.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种CIGS膜的制法,其特征在于,所述CIGS膜用作CIGS太阳能电池的光吸收层,该制法包括:层叠工序,其中,在基板上以固相状态依次层叠包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B);加热工序,其中,对层叠了所述层(A)和层(B)的层叠体进行加热,使所述层(B)熔融并呈液相状态,由此使所述层(B)中的铜扩散到所述层(A)中,使晶体生长得到CIGS膜。
地址 日本大阪府