发明名称 |
CIGS膜的制法和使用其的CIGS太阳能电池的制法 |
摘要 |
为了提供即使在制造大面积元件时,也能低成本、再现性好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法和包括其的CIGS太阳能电池的制法,本发明包括:层叠工序,其中,在基板上以固相状态依次层叠包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B);加热工序,其中,对层叠了上述层(A)和层(B)的层叠体进行加热,使上述层(B)的铜和硒的化合物熔融并呈液相状态,由此使上述层(B)中的铜扩散到上述层(A)中,使晶体生长得到CIGS膜。 |
申请公布号 |
CN103765604A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201280042573.X |
申请日期 |
2012.09.05 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
西井洸人;森田成纪;寺地诚喜;细川和人;峯元高志 |
分类号 |
H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2014.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种CIGS膜的制法,其特征在于,所述CIGS膜用作CIGS太阳能电池的光吸收层,该制法包括:层叠工序,其中,在基板上以固相状态依次层叠包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B);加热工序,其中,对层叠了所述层(A)和层(B)的层叠体进行加热,使所述层(B)熔融并呈液相状态,由此使所述层(B)中的铜扩散到所述层(A)中,使晶体生长得到CIGS膜。 |
地址 |
日本大阪府 |