| 发明名称 | 顶栅薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的V字型凹槽或V字型凸起；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)、在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)、在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的V字型凹槽或V字型凸起。 | ||
| 申请公布号 | CN103762312A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201110461856.5 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 |
| 分类号 | H01L51/40(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 苗青盛;王凤华 |
| 主权项 | 一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的V字型凹槽或V字型凸起；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)、在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)、在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的V字型凹槽或V字型凸起。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 | ||