SiC外延晶片及其制造方法

摘要

本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。

主权项

一种SiC外延晶片的制造方法，所述SiC外延晶片在具有偏离角的SiC单晶基板上具备SiC外延层，所述制造方法的特征在于，具有：确定所述具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错即BPD之中，在所述SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于所述比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用所述上限以下的SiC单晶基板，以与在确定所述比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在所述SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。