一种顶栅薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底表面上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；2)沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部；3)对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的凸齿及凸齿之间的凹槽。

主权项

一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)、在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)、在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的凸齿及凸齿之间的凹槽。