| 发明名称 | 光电子半导体本体 | ||
| 摘要 | 提出了一种光电子半导体本体，其具有半导体层序列(1)和第一电连接层(4)，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层(100)。半导体本体设计用于从前侧(2)发射电磁辐射。半导体层序列(1)具有至少一个开口(110)，其在从前侧(2)到与前侧(2)对置的背侧(3)的方向上完全穿透半导体层序列(1)。第一电连接层(4)设置在半导体本体的背侧(3)上，第一电连接层(4)的分段(40)从背侧(3)通过开口(110)朝着前侧(2)延伸并且覆盖半导体层序列(1)的前侧主面(10)的第一部分区域(11)。前侧主面(10)的第二部分区域(12)未被第一电连接层(4)覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN102177595B | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN200980140108.8 | 申请日期 | 2009.09.30 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 卡尔·恩格尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李德山;周涛 |
| 主权项 | 一种光电子半导体本体，其具有半导体层序列(1)和第一电连接层(4)，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层(100)，其中‑半导体本体设计用于从前侧(2)发射电磁辐射，‑半导体层序列(1)具有开口(110)，该开口在从前侧(2)到与前侧(2)对置的背侧(3)的方向上完全穿透半导体层序列(1)，‑第一电连接层(4)设置在半导体本体的背侧(3)上，‑第一电连接层(4)的分段(40)从背侧(3)通过开口(110)朝着前侧(2)延伸并且覆盖半导体层序列(1)的前侧主面(10)的第一部分区域(11)，‑前侧主面(10)的第二部分区域(12)未被第一电连接层(4)覆盖，‑所述光电子半导体本体还具有第二电连接层(5)，该第二电连接层同样设置在背侧(3)上并且借助于分离层(7)与第一电连接层(4)电绝缘，以及‑第一电连接层(4)、第二电连接层(5)和分离层(7)在半导体本体的背侧(3)上在横向上交叠。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||