发明名称 |
含有室温铁磁性的Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>块体材料及制备方法 |
摘要 |
针对现有技术无法制备含有室温铁磁性的PbPdO<sub>2</sub>块体材料的技术难题,本发明提供一种具有单相体心正交结构、晶格内部存在Pb离子空位的含有室温铁磁性的Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>块体材料及其制备方法。本发明所提供的Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>块体材料制备方法的显著特征在于通过选用Pb含量低于正分配比的原料配方以及延长热处理时间,在PbPdO<sub>2</sub>材料中造成Pb含量的不足从而形成Pb离子空位。本发明能够在无掺杂单相Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>块体材料中制造出室温铁磁性,且方法简单易行,可为高温铁磁性零禁带半导体的开发提供参考。 |
申请公布号 |
CN103130494B |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201310055113.7 |
申请日期 |
2013.02.21 |
申请人 |
合肥工业大学;北京三星通信技术研究有限公司 |
发明人 |
苏海林;吴玉程;黄荣俊;黄舜渔;黄贤良;金智渊 |
分类号 |
C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/01(2006.01)I |
代理机构 |
合肥金安专利事务所 34114 |
代理人 |
林飞 |
主权项 |
含有室温铁磁性的Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>块体材料,其特征在于:块体状的Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>为单相体心正交结构;Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>的晶格内部存在Pb离子空位,Pb的x值在0.908至0.980之间;在300K,Pb<sub>x</sub>PdO<sub>2</sub>仍呈现饱和磁化趋势与磁滞行为。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 |