发明名称 |
基于组合薄膜的宽温区可调谐微波器件 |
摘要 |
提供了一种基于组合薄膜的宽温区可调谐微波器件,所述可调谐微波器件包括介质衬底、铁电组合薄膜、第一电极和至少一个第二电极;所述铁电组合薄膜设置于所述介质衬底上,在所述铁电组合薄膜中,铁电材料中预定掺杂离子的成分含量沿梯度方向连续梯度变化,所述梯度方向在所述铁电组合薄膜所在平面上;所述第一电极和第二电极用于形成调谐所述铁电组合薄膜介电常数的调谐电场,所述电极被设置为使所述调谐电场方向与所述梯度方向不同。所述可调谐微波器件的介电常数可调温度范围宽,具有较好的温度稳定性。 |
申请公布号 |
CN103762078A |
申请公布日期 |
2014.04.30 |
申请号 |
CN201410026262.5 |
申请日期 |
2014.01.20 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
袁洁;金魁;孙亮;何豫生 |
分类号 |
H01G4/33(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/33(2006.01)I |
代理机构 |
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 |
代理人 |
蔡纯;冯丽欣 |
主权项 |
一种可调谐微波器件,包括介质衬底、铁电组合薄膜、第一电极和至少一个第二电极;所述铁电组合薄膜设置于所述介质衬底上,在所述铁电组合薄膜中,铁电材料中预定掺杂离子的成分含量沿梯度方向连续梯度变化,所述梯度方向在所述铁电组合薄膜所在平面上;所述第一电极和第二电极用于形成调谐所述铁电组合薄膜介电常数的调谐电场,所述电极被设置为使所述调谐电场方向与所述梯度方向不同。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |