发明名称 | 一种新型图形化衬底及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公布了一种新型图形化衬底以及制备方法,该衬底图形为非周期性的阵列结构,图形排布具有长程有序而短程无序的特性,其傅里叶变换呈现高阶转动对称性。本发明的图形衬底可以有效提高GaN基LED的出光效率。本发明制备方法简单易行,与现有的图形化衬底工艺匹配,适用于工业化生产。 | ||
申请公布号 | CN103762287A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
申请号 | CN201410004051.1 | 申请日期 | 2014.01.03 |
申请人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 发明人 | 付星星;康凯;廉宗隅;张国义 |
分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 本发明一种新型图形化衬底,包括衬底本体和覆盖其表面的图形凸起,其特征在于,所述图形凸起呈阵列排布,所述阵列排布呈现长程有序短程无序性。 | ||
地址 | 523518 广东省东莞市企石镇科技工业园 |