太阳能电池及其生产方法

摘要

提出一种后部接触异质结太阳能电池（1）和这种太阳能电池的制造方法。太阳能电池（1）包括硅衬底（3），硅衬底（3）具有位于其前表面的钝化层（5）和覆盖其后表面的本征非晶硅层（7）。在本征非晶硅层（7）的背侧设置有发射极层（13）和基极层（19），这些层中的每层覆盖背表面的相邻的部分区。包括电绝缘材料的隔离层（9）插在发射极层（13）和基极层（19）之间。可以通过气相沉积经由罩产生隔离层（9）以及基极层（19）和发射极层（13）。由于该工艺，发射极层（13）与隔离层（9）的邻接区域以及基极层（19）与隔离层（9）的邻接域区以如下方式部分横向重叠：在重叠区（23、25）中，隔离层（9）的至少一部分的位置比发射极层（13）和基极层（19）中对应一个的重叠部分更靠近衬底（3）。利用所提出的太阳能电池概念和制造方法，由于能做到高质量的表面钝化，所以可以以低制造成本获得高太阳能电池效率。

主权项

一种后部接触异质结本征薄层太阳能电池（1），包括：硅衬底（3），其具有前表面和后表面；钝化层（5），其位于所述硅衬底（3）的所述前表面；薄本征非晶硅层（7），其覆盖所述衬底（3）的所述后表面，所述本征非晶硅层（7）具有与所述硅衬底（3）的所述后表面邻接的前表面并且具有与所述前表面相反的背表面；发射极层（13），其包括第一掺杂极性的掺杂半导体材料，并且覆盖所述本征非晶硅层（7）的所述背表面的一个或多个部分；基极层（19），其包括与所述第一掺杂极性相反的第二掺杂极性的并且具有比所述硅衬底（3）更高掺杂浓度的掺杂半导体材料，并且覆盖所述本征非晶硅层（7）的所述背表面的与所述发射极层（13）覆盖的部分相邻的一个或多个部分；以及隔离层（9），其包括电绝缘材料并且设置在所述后部本征非晶硅层（7）的所述背表面的横向上在相邻的所述发射极层（13）部分和所述基极层（19）部分之间的一个或多个部分，其特征在于，所述发射极层（13）与所述隔离层（9）的邻接区域以及所述基极层（19）与所述隔离层（9）的邻接区域以如下方式部分横向重叠：在重叠区（23、25）中，所述隔离层（9）的至少一部分的位置比所述发射极层（13）和所述基极层（19）中对应一个的重叠部分更靠近所述衬底（3）。