发明名称 一种ESD瞬态检测电路
摘要 本发明涉及电子技术,具体的说是涉及静电泄放防护中的瞬态检测电路。本发明的一种ESD瞬态检测电路,包括由驱动电阻11和驱动电容12组成的驱动网络1、由反相器PMOS管21和反相器NMOS管22组成的控制网络2;其特征在于,还包括反馈网络3,所述反馈网络3由开关管和反馈电阻31组成,开关管的连接控制网络2的输入端和反馈电阻31的一端、激励端连接控制网络2的输出端,反馈电阻31的另一端接地。本发明的有益效果为,能够有效减小芯片占用面积,提高其输出电压稳定性,延长其导通时间,同时提高了电路的输出电压均匀性,使钳位器件能够更加迅速的开启,并且不需要添加额外掩膜版,还而能减小的芯片占用面积。本发明尤其适用于对ESD脉冲的检测。
申请公布号 CN103760444A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201410035373.2 申请日期 2014.01.24
申请人 电子科技大学 发明人 乔明;齐钊;马金荣;薛腾飞;白春蕾;樊航;蒋苓利;张波
分类号 G01R31/00(2006.01)I 主分类号 G01R31/00(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 李顺德;王睿
主权项 一种ESD瞬态检测电路,包括由驱动电阻(11)和驱动电容(12)组成的驱动网络(1)、由反相器PMOS管(21)和反相器NMOS管(22)组成的控制网络(2);其中,驱动电阻(11)的一端接电源VDD,另一端接驱动电容(12)后接控制网络(2)的输入端,驱动电容的另一端接GND,反相器PMOS管(21)与反相器NMOS管(22)栅极相连作为控制网络(2)的输入端与驱动电阻(11)的一端连接、漏极相连作为控制网络(2)的输出端;反相器PMOS管(21)的源极与衬底相连并接电源VDD,反相器NMOS管(22)的源极与衬底相连并接GND;其特征在于,还包括反馈网络(3),所述反馈网络(3)由开关管和反馈电阻(31)组成,开关管的连接控制网络(2)的输入端和反馈电阻(31)的一端、激励端连接控制网络(2)的输出端,反馈电阻(31)的另一端接地。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号