Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske mit einem auf einem transparenten Substrat (100) erzeugten Muster aus einem transluzenten Film (300a), wobei der transluzente Film (300a) Silicium und mindestens eines von Stickstoff und Sauerstoff enthält, wobei das Verfahren die thermische Behandlung des Musters aus dem transluzenten Film (300a) umfasst, durchgeführt unter einer Inertgasatmosphäre bei mehr als 150°C nach der Erzeugung des Musters aus dem transluzenten Film (300a), so dass die Druckspannung des transluzenten Films (300a) verringert wird.