Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Kurzschlusstruktur

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) aus einem Halbleitermaterial, – Herstellen einer ersten Zone (5, 8) von einem vorgegebenen ersten Leitungstyp in dem Halbleiterkörper (1), – Herstellen einer zweiten Zone (60, 70) von einem zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp in dem Halbleiterkörper (1), – Herstellen einer Anschlusszone (69, 79) vom zweiten Leitungstyp in dem Halbleiterkörper (1), die an die zweite Zone (60, 70) angrenzt, wobei die Anschlusszone (69, 79) stärker dotiert ist als der daran angrenzende Bereich der zweiten Zone (60, 70), – Erzeugen einer elektrisch hoch leitenden Schicht (3, 4), die sowohl an die erste Zone (5, 8) als auch an die zweite Zone (60, 70) Anschlusszone (69, 79) elektrisch leitend angeschlossen ist, wobei das Herstellen der Anschlusszone (69, 79) durch Einbringen eines Dotierstoffes (68, 78) in den Halbleiterkörper (1) erfolgt, der nach dem Einbringen – im Falle eines vorgegebenen Leitungstyps vom Typ ”p” einen Akzeptor mit einem Energieniveau darstellt, das bei einer Temperatur von 300 K 100 meV bis 500 meV über dem Valenzband (91) des Halbleiterkörpers (1) liegt, oder – im Falle eines vorgegebenen Leitungstyps vom Typ ”n” einen Donator mit einem Energieniveau darstellt, das bei einer Temperatur von 300 K 100 meV bis 500 meV unter dem Leitungsband (92) des Halbleiterkörpers (1) liegt, und wobei der Dotierstoff (68, 78) durch ein Implantationsverfahren in den Halbleiterkörper (1) eingebracht wird und der eingebrachte Dotierstoff (68, 78) aktiviert wird, indem in dem Halbleiterkörper (1) ein oberflächennaher Bereich (67a'), der zumindest einen Teil des eingebrachten Dotierstoffes (68, 78) enthält, mittels eines Laserpulses (80) vorübergehend aufgeschmolzen wird, oder indem der Bereich des Halbleiterkörpers (1), der eingebrachte Dotierstoffe (68, 78) enthält, mittels eines RTP-Prozesses für eine Zeit zwischen 5 Sekunden und 60 Sekunden auf eine Temperatur zwischen 800°C und 1250°C aufgeheizt wird.