发明名称 基于有机场效应管结构的极性分子气体传感器及制备方法
摘要 本发明涉及一种基于有机场效应管结构的极性分子气体传感器及制备方法,其第二有机场效应管体键合固定在第一有机场效应管体的上方,第一有机场效应管体与第二有机场效应管体间设置有单晶线体,且在键合固定后的第一有机场效应管体与第二有机场效应管体间形成检测腔体;第一有机场效应管体内包括用于极性分子气体进入检测腔体的第一气孔,第二有机场效应管体内包括用于极性分子气体进入检测腔体的第二气孔,所述第一气孔、第二气孔均与检测腔体相连通。本发明结构紧凑,与CMOS工艺兼容,迁移率高,提高响应时间及恢复时间,信号强度高,提高测量精度,使用方便,安全可靠。
申请公布号 CN103760207A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201410038167.7 申请日期 2014.01.26
申请人 江苏物联网研究发展中心 发明人 张宇;欧文;明安杰;张文博;张乐;任耀辉
分类号 G01N27/414(2006.01)I 主分类号 G01N27/414(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种基于有机场效应管结构的极性分子气体传感器,包括第一有机场效应管体及第二有机场效应管体;第一有机场效应管体包括第一有机场效应管漏电极与第一场效应管源电极,第二有机场效应管体包括第二有机场效应管漏电极及第二有机场效应管源电极;其特征是:所述第二有机场效应管体键合固定在第一有机场效应管体的上方,第一有机场效应管体与第二有机场效应管体间设置有单晶线体(13),且在键合固定后的第一有机场效应管体与第二有机场效应管体间形成检测腔体;单晶线体(13)横跨所述检测腔体,单晶线体(13)的两端连接第一有机场效应管漏电极与第一有机场效应管源电极,以充当第一场效应管漏电极与第一场效应管源电极间的导电沟道,且单晶线体(13)的两端同时连接第二有机场效应管漏电极与第二有机场效应管源电极,以充当第二场效应管漏电极与第二场效应管源电极间的导电沟道;第一有机场效应管体内包括用于极性分子气体进入检测腔体的第一气孔(12),第二有机场效应管体内包括用于极性分子气体进入检测腔体的第二气孔(32),所述第一气孔(12)、第二气孔(32)均与检测腔体相连通。
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